г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSM50GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSM50GD120DN2BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 1200V 72A 350W, IGBT Module - Full Bridge 1200 V 72 A 350 W Chassis Mount Module
Цена
20 848 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
-
SP000100359,BSM50GD120DN2
Full Bridge
350 W
1200 V
72 A
Standard
-
3V @ 15V, 50A
No
1 mA
BSM50GD120
Chassis Mount
10
Tray
Discontinued at Digi-Key
150°C (TJ)
Module
Module
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
3.3 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: TO-200-100E
Бренд: Bivar
Описание: SPACER RECT GEN PURP 0.100", Component Spacer General Purpose - Axial, Radial Rectangular 0.100" (2.54mm) Natural
Подробнее
Артикул: DPG60C400HB
Бренд: IXYS
Описание: DIODE ARRAY GP 400V 30A TO247AD, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 400 V 30A Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: 1N4730ATR
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: DIODE ZENER 3.9V 1W 5%, Zener Diode 3.9 V 1 W ±5% Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: SQP90P06-07L_GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 60V 120A TO220AB, P-Channel 60 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: DTA114EET1G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC75, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 mW Surface Mount SC-75, SOT-416
Подробнее
Артикул: 1N4774
Бренд: Microchip Technology
Описание: DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35, Zener Diode 9.1 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее