г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

1N4151 Microchip Technology

Артикул
1N4151
Бренд
Microchip Technology
Описание
DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35, Diode Standard 75 V 200mA Through Hole DO-35
Цена
152 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
files/1N4151.jpg
REACH Unaffected
1N4151MS
50 nA @ 50 V
1 V @ 50 mA
Standard
75 V
200mA
Small Signal =
-
-65°C ~ 150°C
1N4151
DO-35
-
Bulk
Active
RoHS non-compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.10.0070
1
Through Hole
DO-204AH, DO-35, Axial
2 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRG4PSC71KD
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 85A 350W SUPER247, IGBT - 600 V 85 A 350 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее
Артикул: 1295-31-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNO FINISH - NYLON3/4, Round Spacer Unthreaded - Nylon 1.250" (31.75mm) 1 1/4" -
Подробнее
Артикул: FERD40H100SFP
Бренд: STMicroelectronics
Описание: 100 V 40 A FIELD-EFFECT RECTIFIE, Diode FERD (Field Effect Rectifier Diode) 100 V 40A Through Hole TO-220FPAB
Подробнее
Артикул: 1492-50-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN BRASS3/4 HEX X 9, Hex Spacer Unthreaded - Brass 0.563" (14.30mm) 9/16" -
Подробнее
Артикул: IRG4BC20UDPBF
Бренд: International Rectifier
Описание: IGBT, 13A I(C), 600V V(BR)CES, N, IGBT - 600 V 13 A 60 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: MS2228
Бренд: Microsemi
Описание: RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ M214, RF Transistor NPN 65V 5.4A 1.03GHz ~ 1.09GHz 175W Chassis Mount M214
Подробнее