г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

1N4935G Taiwan Semiconductor

Артикул
1N4935G
Бренд
Taiwan Semiconductor
Описание
DIODE GEN PURP 200V 1A DO41, Diode Standard 200 V 1A (DC) Through Hole DO-204AL (DO-41)
Цена
59 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
files/1N4935G.jpg
REACH Unaffected
Standard
200 V
1A (DC)
1.2 V @ 1 A
Fast Recovery = 200mA (Io)
200 ns
5 µA @ 200 V
10pF @ 4V, 1MHz
DO-204AL (DO-41)
DO-204AL, DO-41, Axial
ROHS3 Compliant
-
Tape & Reel (TR)
Active
1801-1N4935GTR
5,000
EAR99
8541.10.0080
1 (Unlimited)
Through Hole
-55°C ~ 150°C

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1149-6-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNO FINISH - NYLON1/4, Round Spacer Unthreaded - Nylon 1.813" (46.04mm) -
Подробнее
Артикул: MC1413BD
Бренд: onsemi
Описание: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO, Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA - - Surface Mount 16-SOIC
Подробнее
Артикул: IXTP60N20T
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 200V 60A TO220AB, N-Channel 200 V 60A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: BUL810
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS NPN 450V 15A TO-247, Bipolar (BJT) Transistor NPN 450 V 15 A - 125 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: IRG4BC20W
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 13A 60W TO220AB, IGBT - 600 V 13 A 60 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: STB42N65M5
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK, N-Channel 650 V 33A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее