г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

1N5402G Taiwan Semiconductor

Артикул
1N5402G
Бренд
Taiwan Semiconductor
Описание
DIODE GEN PURP 3A 200V DO-201AD, Diode Standard 200 V 3A (DC) Through Hole DO-201AD
Цена
34 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
files/1N5402G.jpg
DO-201AD
REACH Unaffected
Standard
200 V
3A (DC)
1 V @ 3 A
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
5 µA @ 200 V
25pF @ 4V, 1MHz
DO-201AD, Axial
ROHS3 Compliant
-
Tape & Reel (TR)
Active
1801-1N5402GTR
3,750
EAR99
8541.10.0080
1 (Unlimited)
Through Hole
-55°C ~ 150°C

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: SBR8M100P5-13
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE SBR 100V 8A POWERDI5, Diode Super Barrier 100 V 8A Surface Mount PowerDI™ 5
Подробнее
Артикул: SI7164DP-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8, N-Channel 60 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Подробнее
Артикул: SI4134DY-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO, N-Channel 30 V 14A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: BD241C
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS NPN 100V 3A TO-220, Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A - 40 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: STGP19NC60HD
Бренд: STMicroelectronics
Описание: IGBT 600V 40A 130W TO220, IGBT - 600 V 40 A 130 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: B560C-13
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE SCHOTTKY 60V 5A SMC, Diode Schottky 60 V 5A Surface Mount SMC
Подробнее