г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

1N5408G onsemi

Артикул
1N5408G
Бренд
onsemi
Описание
DIODE GEN PURP 1000V 3A DO201AD, Diode Standard 1000 V 3A Through Hole Axial
Цена
81 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
files/1N5408G.jpg
Axial
REACH Unaffected
10 µA @ 1000 V
1 V @ 3 A
Standard
1000 V
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
-65°C ~ 150°C
3A
2156-1N5408G,ONSONS1N5408G,1N5408GOS
Not Applicable
ROHS3 Compliant
-
Bulk
Active
Through Hole
DO-201AA, DO-27, Axial
EAR99
8541.10.0080
500
1N5408
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: WW-ABES-2
Бренд: Interlight
Описание: FOR DATASTOR PL-364 BULB,
Подробнее
Артикул: HUFA76409D3ST
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 60V 18A TO252AA, N-Channel 60 V 18A (Tc) 49W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Подробнее
Артикул: BB85702VH7902XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE TUNING 30V 20MA SC79-2, Varactors Single 30 V Surface Mount PG-SC79-2-1
Подробнее
Артикул: IRL520NSTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK, N-Channel 100 V 10A (Tc) 3.8W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: BCR148WH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 100 MHz 250 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: IRGP4066DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 600V 140A TO247AC, IGBT Trench 600 V 140 A 454 W Through Hole TO-247AC
Подробнее