г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

1N5619 Microchip Technology

Артикул
1N5619
Бренд
Microchip Technology
Описание
DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL, Diode Standard 600 V 1A Through Hole
Цена
873 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
files/1N5619.jpg
Fast Recovery = 200mA (Io)
A, Axial
Standard
600 V
1A
1.6 V @ 3 A
250 ns
500 nA @ 600 V
25pF @ 12V, 1MHz
REACH Unaffected
1
2266-1N5619
-
Bulk
Active
Through Hole
1N5619
RoHS non-compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.10.0080
-65°C ~ 175°C

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 10ETF12S
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK, Diode Standard 1200 V 10A Surface Mount TO-263AB (D?PAK)
Подробнее
Артикул: IRF7319PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 30V - 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: 1473-6-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN STEEL5/8 HEX X 1, Hex Spacer Unthreaded - Steel 1.313" (33.35mm) 1 5/16" -
Подробнее
Артикул: MBRF20100
Бренд: Taiwan Semiconductor
Описание: DIODE SCHOTTKY 20A 100V ITO220, Diode Schottky 100 V 20A (DC) Through Hole ITO-220AC
Подробнее
Артикул: NDC7003P
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET 2P-CH 60V 0.34A SSOT6, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 340mA 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
Подробнее
Артикул: PBSS4260PANPSX
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: NEXPERIA PBSS4260P - 60 V, 2 A U, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее