г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FF150R12YT3BOMA1 Infineon Technologies

Артикул
FF150R12YT3BOMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 1200V 200A 625W, IGBT Module - 2 Independent 1200 V 200 A 625 W Chassis Mount Module
Цена
10 224 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
-
SP000104572,FF150R12YT3,FF150R12YT3-ND
2 Independent
625 W
1200 V
200 A
Standard
-
2.15V @ 15V, 150A
Yes
1 mA
FF150R12
Chassis Mount
Bulk
Not For New Designs
-40°C ~ 125°C
Module
Module
Not Applicable
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
20
10.5 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FQA10N60C
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 600V 10A TO3P, N-Channel 600 V 10A (Tc) 192W (Tc) Through Hole TO-3P
Подробнее
Артикул: 1335-4-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: 1_4-HEX_SPACER, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 0.438" (11.11mm) -
Подробнее
Артикул: 1427-12-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN STEEL1/2 HEX X 3, Hex Spacer Unthreaded - Steel 0.375" (9.53mm) 3/8" -
Подробнее
Артикул: 1356-6-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON1/4 H, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 1.750" (44.45mm) 1 3/4" -
Подробнее
Артикул: LP395Z
Бренд: National Semiconductor
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IRF740S2515
Бренд: Harris
Описание: 10A, 400V, 0.55OHM, N-CHANNEL, P, Mosfet Array
Подробнее