г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N2222A NTE Electronics

Артикул
2N2222A
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS NPN 40V 800MA TO18, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 800 mA - 500 mW Through Hole TO-18
Цена
109 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/2N2222A_5220.jpg
TO-18
500 mW
40 V
800 mA
NPN
1V @ 50mA, 500mA
-
100 @ 150mA, 10V
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
1
2368-2N2222A
-
Bag
Active
Through Hole
-
ROHS3 Compliant
EAR99
8541.21.0095
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 15CTQ045S
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V D2PAK, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 45 V 7.5A Surface Mount TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Подробнее
Артикул: IXTH24N50
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 500V 24A TO247, N-Channel 500 V 24A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Подробнее
Артикул: 2N5486G
Бренд: onsemi
Описание: JFET N-CH 25V 30MA TO92, RF Mosfet N-Channel JFET - - - TO-92 (TO-226)
Подробнее
Артикул: SLA6024
Бренд: Sanken
Описание: TRANS 3NPN/3PNP DARL 60V 12SIP, Bipolar (BJT) Transistor Array 3 NPN, 3 PNP Darlington (3-Phase Bridge) 60V 8A 50MHz 5W Through Hole 12-SIP
Подробнее
Артикул: IRF7241PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 40V 6.2A 8SO, P-Channel 40 V 6.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRG4BC40U
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 40A 160W TO220AB, IGBT - 600 V 40 A 160 W Through Hole TO-220AB
Подробнее