г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N2222A NTE Electronics

Артикул
2N2222A
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS NPN 40V 800MA TO18, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 800 mA - 500 mW Through Hole TO-18
Цена
109 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/2N2222A_5220.jpg
TO-18
500 mW
40 V
800 mA
NPN
1V @ 50mA, 500mA
-
100 @ 150mA, 10V
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
1
2368-2N2222A
-
Bag
Active
Through Hole
-
ROHS3 Compliant
EAR99
8541.21.0095
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: NS-03-14
Бренд: Essentra Components
Описание: NON THREADED SPACER - PLASTIC,NS, Round Spacer Unthreaded - Nylon 0.551" (14.00mm) Natural
Подробнее
Артикул: IKW30N60T
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IKW30N60 - DISCRETE IGBT WITH AN, IGBT
Подробнее
Артикул: PDTA144ET,215
Бренд: Nexperia
Описание: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 mW Surface Mount TO-236AB
Подробнее
Артикул: MS1226
Бренд: Microsemi
Описание: RF TRANS NPN 36V 30MHZ M113, RF Transistor NPN 36V 4.5A 30MHz 80W Chassis Mount M113
Подробнее
Артикул: IXTV200N10T
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220, N-Channel 100 V 200A (Tc) 550W (Tc) Through Hole PLUS220
Подробнее
Артикул: SPP11N60C3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: LOW POWER_LEGACY, N-Channel 650 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее