г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N2905A NTE Electronics

Артикул
2N2905A
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-PNP SI-AF OUTPUT, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 600 mA - 600 mW Through Hole TO-39
Цена
360 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/2N2905A.jpg
TO-39
600 mW
40 V
600 mA
PNP
1.6V @ 50mA, 500mA
-
100 @ 150mA, 10V
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
1
2368-2N2905A
-
Bag
Active
Through Hole
-
ROHS3 Compliant
EAR99
8541.21.0095
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BAS40LT1
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V SOT23, Diode Schottky 40 V 120mA (DC) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: SP-26-F
Бренд: Ruland Manufacturing
Описание: 1-5/8" STEEL SHAFT COLLAR,
Подробнее
Артикул: TO-5-040
Бренд: Bivar
Описание: SPACER TUBULAR GEN PURP 0.039", Component Spacer General Purpose - Axial, Radial Tubular 0.039" (1.00mm) Natural
Подробнее
Артикул: DMP6023LE-13
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET P-CH 60V 7A/18.2A SOT223, P-Channel 60 V 7A (Ta), 18.2A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-3
Подробнее
Артикул: MRF6S18100NBR1
Бренд: Freescale Semiconductor
Описание: RF L BAND, N-CHANNEL , TO-272, RF Mosfet LDMOS 28 V 900 mA 1.99GHz 14.5dB 100W TO-272 WB-4
Подробнее
Артикул: STW65N65DM2AG
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 650V 60A TO247, N-Channel 650 V 60A (Tc) 446W (Tc) Through Hole TO-247-3
Подробнее