г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N2907A NTE Electronics

Артикул
2N2907A
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-PNP SI- AF OUTPUT, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 600 mA 200MHz 400 mW Through Hole TO-18
Цена
188 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/2N2907A.jpg
TO-18
400 mW
60 V
600 mA
PNP
1.6V @ 50mA, 500mA
10nA (ICBO)
100 @ 150mA, 10V
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
1
2368-2N2907A
-
Bag
Active
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
ROHS3 Compliant
EAR99
8541.21.0095
200MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: SD2010S040S3R0
Бренд: KYOCERA AVX
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMA, Diode Schottky 40 V 3A (DC) Surface Mount 2010/DO-214AC
Подробнее
Артикул: 1524-C-2-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SWAGE SPACERPLAIN BRASS3/1, Round Spacer Unthreaded - Brass 0.625" (15.88mm) 5/8" -
Подробнее
Артикул: IRFHS9301TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFN, P-Channel 30 V 6A (Ta), 13A (Tc) 2.1W (Ta) Surface Mount 6-PQFN (2x2)
Подробнее
Артикул: CM300DX-24S1
Бренд: Powerex
Описание: IGBT MOD 1200V 300A 1850W, IGBT Module - Half Bridge 1200 V 300 A 1850 W Module
Подробнее
Артикул: VS-25TTS08-M3
Бренд: VISHAY
Описание: SCR 800V 25A TO220AB, SCR 800 V 25 A Standard Recovery Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: IRL520PBF
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB, N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее