г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N2925 NTE Electronics

Артикул
2N2925
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS NPN 25V 100MA TO92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 25 V 100 mA 160MHz 360 mW Through Hole TO-92
Цена
117 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/2N2925.jpg
TO-92
360 mW
25 V
100 mA
NPN
-
100nA (ICBO)
215 @ 2mA, 4.5V
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
1
2368-2N2925
-
Bag
Active
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
ROHS3 Compliant
EAR99
8541.21.0095
160MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: VS-CPV364M4FPBF
Бренд: VISHAY
Описание: IGBT MODULE 600V 27A 63W IMS-2, IGBT Module - 600 V 27 A 63 W Through Hole IMS-2
Подробнее
Артикул: 1N914A
Бренд: NTE Electronics
Описание: D-SI 100PRV .02A, Diode Standard 100 V 200mA Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: BAT54W
Бренд: SMC Diode Solutions
Описание: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323, Diode Schottky 30 V 200mA Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: 1N4730A,133
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: DIODE ZENER 3.9V 1W DO41, Zener Diode 3.9 V 1 W ±5% Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: MA2C0290BF
Бренд: Panasonic
Описание: DIODE GEN PURP 6V 50MA DO34, Diode Standard 6 V 50mA Through Hole DO34-A1
Подробнее
Артикул: STGP10NC60KD
Бренд: STMicroelectronics
Описание: IGBT 600V 20A 65W TO220, IGBT - 600 V 20 A 65 W Through Hole TO-220
Подробнее