2N3019 NTE Electronics
Артикул
2N3019
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-NPN SI- AF PREAMP DR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 100MHz 800 mW Through Hole TO-39
Цена
152 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/2N3019_5222.jpg
TO-39
800 mW
80 V
1 A
NPN
500mV @ 50mA, 500mA
10nA (ICBO)
100 @ 150mA, 10V
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
1
2368-2N3019
-
Bag
Active
Through Hole
175°C (TJ)
ROHS3 Compliant
EAR99
8541.21.0095
100MHz
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут