г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N3250A Microchip Technology

Артикул
2N3250A
Бренд
Microchip Technology
Описание
TRANS PNP 60V 0.2A TO18, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 200 mA - 360 mW Through Hole TO-39 (TO-205AD)
Цена
2 165 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
-
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
TO-39 (TO-205AD)
360 mW
60 V
200 mA
PNP
500mV @ 5mA, 50mA
10µA (ICBO)
50 @ 10mA, 1V
REACH Unaffected
1
1086-20783,1086-20783-MIL
Bulk
Active
Through Hole
-65°C ~ 200°C (TJ)
2N3250
RoHS non-compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.21.0095
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 2N2907A
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI- AF OUTPUT, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 600 mA 200MHz 400 mW Through Hole TO-18
Подробнее
Артикул: C3D08060A
Бренд: Wolfspeed
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 24A (DC) Through Hole TO-220-2
Подробнее
Артикул: IPW60R180P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3, N-Channel 650 V 18A (Tc) 72W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: PMV100ENEAR
Бренд: Nexperia
Описание: MOSFET N-CH 30V 3A TO236AB, N-Channel 30 V 3A (Ta) 460mW (Ta), 4.5W (Tc) Surface Mount TO-236AB
Подробнее
Артикул: IRG7PH46UPBF
Бренд: International Rectifier
Описание: IGBT, 117A I(C), 1200V V(BR)CES,, IGBT Trench 1200 V 130 A 469 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BZX55C43
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 43V 500MW DO35, Zener Diode 43 V 500 mW ±7% Through Hole DO-35
Подробнее