г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N3415 NTE Electronics

Артикул
2N3415
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-NPN SI- GEN PUR AMP, Bipolar (BJT) Transistor NPN 25 V 500 mA - 625 mW Through Hole TO-92-3
Цена
34 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/2N3415.jpg
TO-92-3
625 mW
25 V
500 mA
NPN
300mV @ 3mA, 50mA
100nA (ICBO)
180 @ 2mA, 4.5V
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
1
2368-2N3415
-
Bag
Active
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
RoHS non-compliant
EAR99
8541.21.0095
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRL520NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB, N-Channel 100 V 10A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: 0130-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN BRASS7/16HD X, #8-32 Knob Panel Screw Slotted Drive Brass
Подробнее
Артикул: STTH2R06A
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE GEN PURP 600V 2A SMA, Diode Standard 600 V 2A Surface Mount SMA
Подробнее
Артикул: IPW60R099CP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3-1, N-Channel 600 V 31A (Tc) 255W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: 1195-10-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNO FINISH - NYLON3/8, Round Spacer Unthreaded - Nylon 0.813" (20.65mm) 13/16" -
Подробнее
Артикул: IRGBC40U
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT UFAST 600V 40A TO-220AB, IGBT - 600 V 40 A 160 W Through Hole TO-220AB
Подробнее