г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N3415 NTE Electronics

Артикул
2N3415
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-NPN SI- GEN PUR AMP, Bipolar (BJT) Transistor NPN 25 V 500 mA - 625 mW Through Hole TO-92-3
Цена
34 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/2N3415.jpg
TO-92-3
625 mW
25 V
500 mA
NPN
300mV @ 3mA, 50mA
100nA (ICBO)
180 @ 2mA, 4.5V
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
1
2368-2N3415
-
Bag
Active
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
RoHS non-compliant
EAR99
8541.21.0095
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: RURU15060
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 600V 150A TO218, Diode Standard 600 V 150A Through Hole TO-218
Подробнее
Артикул: 1237-H
Бренд: Davies Molding
Описание: KNOB SERRATED PLASTIC, Serrated Knob 0.250" (6.35mm) Shaft with Line on Side Plastic Black
Подробнее
Артикул: IRG4PH40UD-EPBF
Бренд: International Rectifier
Описание: ULTRAFAST COPACK IGBT W/ULTRAFAS, IGBT - 1200 V 41 A 160 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: 2N3700
Бренд: Solid State
Описание: TRANS NPN 80V 1A TO18, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 400MHz 500 mW Through Hole TO-18
Подробнее
Артикул: IRFR7546TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 56A DPAK, N-Channel 60 V 56A (Tc) 99W (Tc) Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: MJE13009G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 400V 12A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 12 A 4MHz 2 W Through Hole TO-220
Подробнее