г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N3417 NTE Electronics

Артикул
2N3417
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS NPN 50V 500MA TO92-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 500 mA - 625 mW Through Hole TO-92-3
Цена
34 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/2N3417.jpg
TO-92-3
625 mW
50 V
500 mA
NPN
300mV @ 3mA, 50mA
100nA (ICBO)
180 @ 2mA, 4.5V
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
1
2368-2N3417
-
Bag
Active
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
ROHS3 Compliant
EAR99
8541.21.0095
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FQP32N20C
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2, N-Channel 200 V 28A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: MJD44E3T4G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 10 A - 1.75 W Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: STU85N3LH5
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 30V 80A IPAK, N-Channel 30 V 80A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Подробнее
Артикул: 1N4148
Бренд: NTE Electronics
Описание: D-SI 100PRV .01A, Diode Standard 75 V 150mA Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: FDP045N10A-F102
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3, N-Channel 100 V 120A (Tc) 263W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: TIP102
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A - 2 W Through Hole TO-220
Подробнее