г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N3506 Microchip Technology

Артикул
2N3506
Бренд
Microchip Technology
Описание
NPN POWER SILICON TRANSISTORS, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 500 mA - 1 W Through Hole TO-39 (TO-205AD)
Цена
2 408 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/2N3506.jpg
500mV @ 50mA, 500mA
500 mA
40 @ 1.5A, 2V
-
40 V
NPN
1 W
TO-39 (TO-205AD)
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
-65°C ~ 200°C (TJ)
Through Hole
1
8541.29.0095
EAR99
Active
Bulk
-
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IXTK21N100
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 1000V 21A TO264, N-Channel 1000 V 21A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-264 (IXTK)
Подробнее
Артикул: BAR9002ELSE6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 80V 250MW TSSLP-2, RF Diode PIN - Single 80V 100 mA 250 mW PG-TSSLP-2-3
Подробнее
Артикул: DB106S
Бренд: Rectron
Описание: BRIDGE RECT 800V 1A DB-S, Bridge Rectifier Single Phase Standard 800 V Surface Mount DB-S
Подробнее
Артикул: IPU60R1K0CEAKMA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 4.3A TO251-3, N-Channel 600 V 4.3A (Tc) 61W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Подробнее
Артикул: SI7478DP-T1-E3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8, N-Channel 60 V 15A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Подробнее
Артикул: DSA1-18D
Бренд: IXYS
Описание: DIODE AVALANCHE 1.8KV 2.3A, Diode Avalanche 1800 V 2.3A Through Hole -
Подробнее