г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N3811 Central Semiconductor

Артикул
2N3811
Бренд
Central Semiconductor
Описание
TRANS 2PNP 50MA 60V TO78-6, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 50mA 100MHz 600mW Through Hole TO-78-6
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
files/2N3811.jpg
1
TO-78-6
600mW
2 PNP (Dual)
60V
100MHz
300 @ 1mA, 5V
50mA
250mV @ 1mA, 100µA
2N3811CS
8541.21.0075
EAR99
-
Bulk
Obsolete
-65°C ~ 200°C (TJ)
Through Hole
TO-78-6 Metal Can
RoHS non-compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
10nA (ICBO)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1286-12-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNO FINISH - NYLON3/4, Round Spacer Unthreaded - Nylon 0.688" (17.48mm) 11/16" -
Подробнее
Артикул: IRF6201PBF
Бренд: International Rectifier
Описание: HEXFET POWER MOSFET, N-Channel 20 V 27A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: 1494-6-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN BRASS3/4 HEX X 1, Hex Spacer Unthreaded - Brass 0.688" (17.48mm) 11/16" -
Подробнее
Артикул: IRG4BC40UPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 40A 160W TO220AB, IGBT - 600 V 40 A 160 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFS41N15DTRLP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK, N-Channel 150 V 41A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: JANTX2N6766
Бренд: Microsemi
Описание: MOSFET N-CH 200V 30A TO3, N-Channel 200 V 30A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-3
Подробнее