2N4123 NTE Electronics
Артикул
2N4123
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-NPN SI- GEN PUR AMP, Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 200 mA 250MHz 350 mW Through Hole TO-92
Цена
21 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/2N4123.jpg
TO-92
350 mW
30 V
200 mA
NPN
300mV @ 5mA, 50mA
50nA (ICBO)
50 @ 2mA, 1V
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
1
2368-2N4123
-
Bag
Active
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
ROHS3 Compliant
EAR99
8541.21.0095
250MHz
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут