г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N4912 NTE Electronics

Артикул
2N4912
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS PNP 80V 4A TO66, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 4 A - 25 W Through Hole TO-66 (TO-213AA)
Цена
532 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/2N4912.jpg
TO-66 (TO-213AA)
25 W
80 V
4 A
PNP
-
-
-
TO-213AA, TO-66-2
1
2368-2N4912
-
Bag
Active
Through Hole
-
ROHS3 Compliant
EAR99
8541.21.0095
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: PET-7217
Бренд: ICP DAS
Описание: MODBUS TCP POE REMOTE I/O DAQ MO, Input, Output (I/O) Module DIN Rail 12 ~ 48VDC
Подробнее
Артикул: SLA6024
Бренд: Sanken
Описание: TRANS 3NPN/3PNP DARL 60V 12SIP, Bipolar (BJT) Transistor Array 3 NPN, 3 PNP Darlington (3-Phase Bridge) 60V 8A 50MHz 5W Through Hole 12-SIP
Подробнее
Артикул: FDP047AN08A0
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 75V 15A TO220-3, N-Channel 75 V 15A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 1362-4-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN BRASS5/16 HEX X, Hex Spacer Unthreaded - Brass 0.188" (4.78mm) 3/16" -
Подробнее
Артикул: NE350184C
Бренд: CEL
Описание: FET RF 4V 20GHZ MICRO-X, RF Mosfet HFET 2 V 10 mA 20GHz 13.5dB - 84C
Подробнее
Артикул: FDFMA2P029Z
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 20V 3.1A 6MICROFET, P-Channel 20 V 3.1A (Ta) 1.4W (Tj) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Подробнее