г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N4923 NTE Electronics

Артикул
2N4923
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS NPN 80V 1A TO225AA, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 3MHz 30 W Through Hole TO-126
Цена
186 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/2N4923.jpg
TO-126
30 W
80 V
1 A
NPN
600mV @ 100mA, 1A
500µA
30 @ 500mA, 1V
TO-225AA, TO-126-3
1
2368-2N4923
-
Bag
Active
Through Hole
-65°C ~ 150°C (TJ)
RoHS non-compliant
EAR99
8541.29.0095
3MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: AUIRFS8408-7P
Бренд: International Rectifier
Описание: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK, N-Channel 40 V 195A (Tc) 294W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRF5803
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6, P-Channel 40 V 3.4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Подробнее
Артикул: IRF9362TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 8A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: 1570T-A-4-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SWAGE SPACERPLAIN BRASS1/4 H, Hex Spacer Unthreaded - Brass 0.719" (18.26mm) -
Подробнее
Артикул: APTGT300TL60G
Бренд: Microchip Technology
Описание: IGBT MODULE 600V 400A 935W SP6, IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter 600 V 400 A 935 W Chassis Mount SP6
Подробнее
Артикул: HER202G
Бренд: Taiwan Semiconductor
Описание: DIODE GEN PURP 2A 100V DO-15, Diode Standard 100 V 2A (DC) Through Hole DO-204AC (DO-15)
Подробнее