г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N5195 NTE Electronics

Артикул
2N5195
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-PNP SI- AF PO, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 4 A 2MHz 40 W Through Hole SOT-32-3
Цена
172 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/2N5195.jpg
SOT-32-3
40 W
80 V
4 A
PNP
1.2V @ 1A, 4A
1mA
20 @ 1.5A, 2V
TO-225AA, TO-126-3
1
2368-2N5195
-
Bag
Active
Through Hole
150°C (TJ)
ROHS3 Compliant
EAR99
8541.29.0095
2MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: STW40N60M2
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 600V 34A TO247, N-Channel 600 V 34A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: 1107-2-B-5
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNICKEL 3/16 RD X 1/8, Round Spacer Unthreaded - Brass 0.125" (3.18mm) 1/8" -
Подробнее
Артикул: IPD35N10S3L-26
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IPD35N10 - 75V-100V N-CHANNEL AU,
Подробнее
Артикул: BZX85C5V6
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: DIODE ZENER 5.6V 1W 5% UNIDIR, Zener Diode 5.6 V 1.3 W ±5% Through Hole DO-41G
Подробнее
Артикул: FQP47P06_NW82049
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3, P-Channel 60 V 47A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: NGTB50N60FL2WG
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 600V 50A TO247, IGBT Trench Field Stop 600 V 100 A 417 W Through Hole TO-247-3
Подробнее