г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N5308 onsemi

Артикул
2N5308
Бренд
onsemi
Описание
TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 40 V 1.2 A - 625 mW Through Hole TO-92-3
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/2N5308.jpg
TO-92-3
NPN - Darlington
1.2 A
40 V
1.4V @ 200µA, 200mA
100nA (ICBO)
7000 @ 2mA, 5V
625 mW
-
1 (Unlimited)
2N5308
-
Bulk
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
EAR99
8541.21.0095
2,000
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: AOTF9N50
Бренд: Alpha & Omega Semiconductor
Описание:

MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3F, N-Channel 500 V 9A (Tc) 38.5W (Tc) Through Hole TO-220F

Подробнее
Артикул: TIP34C
Бренд: Central Semiconductor
Описание: TRANS GENERAL PURPOSE TO-218, Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 10 A 3MHz 80 W Through Hole TO-218
Подробнее
Артикул: UJ3N065080K3S
Бренд: UnitedSiC
Описание: 650V 80 MOHM SIC JFET, G3, N-ON,, JFET N-Channel 650 V 32 A 190 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: ZXTP2013ZTA
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS PNP 100V 3.5A SOT89, Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 3.5 A 125MHz 2.1 W Surface Mount SOT-89-3
Подробнее
Артикул: IRLR8729PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 58A D-PAK, N-Channel 30 V 58A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: PS51789
Бренд: Powerex
Описание: MOD DIP PFC 30A 600V MINI-DIP, Power Driver Module IGBT 1 Phase Inverter 600 V 30 A 38-PowerDIP Module (1.413", 35.90mm)
Подробнее