г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N5401 NTE Electronics

Артикул
2N5401
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS PNP 150V 600MA TO92-3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 150 V 600 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Цена
18 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/2N5401.jpg
TO-92 (TO-226)
625 mW
150 V
600 mA
PNP
500mV @ 5mA, 50mA
50nA (ICBO)
60 @ 10mA, 5V
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
1
2368-2N5401
-
Bag
Active
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
RoHS non-compliant
EAR99
8541.21.0095
300MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRG8P60N120KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 100A 420W TO-247AC, IGBT - 1200 V 100 A 420 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: TIP101
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 80V 8A TO-220AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 8 A - 2 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: 1N3613
Бренд: Microchip Technology
Описание: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL, Diode Standard 600 V 1A Through Hole
Подробнее
Артикул: IRF5850TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6-TSOP, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.2A 960mW Surface Mount 6-TSOP
Подробнее
Артикул: FQP630
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3, N-Channel 200 V 9A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: IRFU3710Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 42A IPAK, N-Channel 100 V 42A (Tc) 140W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее