г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N5401 NTE Electronics

Артикул
2N5401
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS PNP 150V 600MA TO92-3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 150 V 600 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Цена
18 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/2N5401.jpg
TO-92 (TO-226)
625 mW
150 V
600 mA
PNP
500mV @ 5mA, 50mA
50nA (ICBO)
60 @ 10mA, 5V
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
1
2368-2N5401
-
Bag
Active
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
RoHS non-compliant
EAR99
8541.21.0095
300MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: C4D40120D
Бренд: Wolfspeed
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247, Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200 V 27A Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: 1SMA5926BT3G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 11V 500MW SMA, Zener Diode 11 V 500 mW ±5% Surface Mount SMA
Подробнее
Артикул: A-72CS
Бренд: Century Spring
Описание: COMP O= .266,L= .75,W= .025,
Подробнее
Артикул: BR2510
Бренд: EIC SEMICONDUCTOR
Описание: STD 25A, CASE TYPE: BR50, Bridge Rectifier Single Phase Standard 1 kV Chassis Mount BR-50
Подробнее
Артикул: CLF1G0035-50
Бренд: Ampleon
Описание:

CLF1G0035-50 - 50W BROADBAND RF, RF Mosfet GaN HEMT 50 V 150 mA 3GHz 11.5dB 50W SOT467C

Подробнее
Артикул: IPB083N10N3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK, N-Channel 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее