г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N5460 NTE Electronics

Артикул
2N5460
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-JFET P CHANNEL, JFET P-Channel 40 V 310 mW Through Hole TO-92
Цена
208 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - JFETs, Транзисторы - JFET
files/2N5460.jpg
1 mA @ 15 V
40 V
7pF @ 15V
P-Channel
310 mW
TO-92
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
1
2368-2N5460
8541.21.0095
EAR99
ROHS3 Compliant
-65°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
Active
Bag
-
750 mV @ 1 µA

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 2N4857
Бренд: Microchip Technology
Описание: N CHANNEL JFET, JFET N-Channel 40 V 360 mW Through Hole TO-18
Подробнее
Артикул: CM600HA-24A
Бренд: Powerex
Описание: IGBT MOD 1200V 600A 3670W, IGBT Module - Single 1200 V 600 A 3670 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: FQD3P50TM
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK, P-Channel 500 V 2.1A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Подробнее
Артикул: SGW15N120
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT, 30A, 1200V, N-CHANNEL, IGBT NPT 1200 V 30 A 198 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: 1SMB5936BT3G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 30V 3W SMB, Zener Diode 30 V 3 W ±5% Surface Mount SMB
Подробнее
Артикул: STGW40NC60V
Бренд: STMicroelectronics
Описание: IGBT 600V 80A 260W TO247, IGBT - 600 V 80 A 260 W Through Hole TO-247-3
Подробнее