г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N5460 NTE Electronics

Артикул
2N5460
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-JFET P CHANNEL, JFET P-Channel 40 V 310 mW Through Hole TO-92
Цена
208 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - JFETs, Транзисторы - JFET
files/2N5460.jpg
1 mA @ 15 V
40 V
7pF @ 15V
P-Channel
310 mW
TO-92
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
1
2368-2N5460
8541.21.0095
EAR99
ROHS3 Compliant
-65°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
Active
Bag
-
750 mV @ 1 µA

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FKV575
Бренд: Sanken
Описание: MOSFET N-CH 50V 75A TO220, N-Channel 50 V 75A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: VS-203CNQ100PBF
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 100V 100A TO244, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 100 V 100A Chassis Mount TO-244AB
Подробнее
Артикул: FDS6912
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: 1170-6-AL
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN ALUMINUM5/16 R, Round Spacer Unthreaded - Aluminum 1.188" (30.18mm) 1 3/16" -
Подробнее
Артикул: NST846BF3T5G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 65V 100MA SOT1123, Bipolar (BJT) Transistor NPN 65 V 100 mA 100MHz 290 mW Surface Mount SOT-1123
Подробнее
Артикул: IRGP4640DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 65A TO247AD, IGBT - 600 V 65 A 250 W Through Hole TO-247AD
Подробнее