г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N5550 NTE Electronics

Артикул
2N5550
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-NPN SI- HIV AMP, Bipolar (BJT) Transistor NPN 140 V 600 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Цена
23 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/2N5550.jpg
TO-92 (TO-226)
625 mW
140 V
600 mA
NPN
250mV @ 5mA, 50mA
100nA (ICBO)
60 @ 10mA, 5V
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
1
2368-2N5550
-
Bag
Active
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
ROHS3 Compliant
EAR99
8541.21.0095
300MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: AZ23C3V9-7-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE ZENER ARRAY 3.9V SOT23-3, Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 3.9 V 300 mW ±5% SOT-23-3
Подробнее
Артикул: IKW25N120H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 50A 326W TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 50 A 326 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: 4735-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: MALE-MALE STANDOFFPLAIN STEEL5/1, Hex Standoff Threaded #10-32 Steel 0.594" (15.08mm) -
Подробнее
Артикул: PM75RSD060
Бренд: Powerex
Описание: MOD IPM S-DASH 600V 75A, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 75 A Power Module
Подробнее
Артикул: IRGP50B60PD1PBF
Бренд: International Rectifier
Описание: AUTOMOTIVE WARP2 IGBT ULTRAFAST, IGBT NPT 600 V 75 A 390 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRG7PH35UD1-EP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 50A 179W TO247, IGBT Trench 1200 V 50 A 179 W Through Hole TO-247AD
Подробнее