г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N5550 NTE Electronics

Артикул
2N5550
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-NPN SI- HIV AMP, Bipolar (BJT) Transistor NPN 140 V 600 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Цена
23 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/2N5550.jpg
TO-92 (TO-226)
625 mW
140 V
600 mA
NPN
250mV @ 5mA, 50mA
100nA (ICBO)
60 @ 10mA, 5V
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
1
2368-2N5550
-
Bag
Active
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
ROHS3 Compliant
EAR99
8541.21.0095
300MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 30331-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CIRCUIT BOARD SUPPORT, Board Support /
Подробнее
Артикул: BSS84-7-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3, P-Channel 50 V 130mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: IPN80R900P7ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223, N-Channel 800 V 6A (Tc) 7W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Подробнее
Артикул: UGB8BT
Бренд: Diotec Semiconductor
Описание: DIODE SFR D2PAK 100V 8A, Diode Standard 100 V 8A Surface Mount TO-263AB (D?PAK)
Подробнее
Артикул: R43176754002
Бренд: HONEYWELL
Описание: PACKING, COMPL.,
Подробнее
Артикул: IRGB4062DPBF
Бренд: International Rectifier
Описание: IRGB4062 - DISCRETE IGBT WITH AN, IGBT Trench 600 V 48 A 250 W Through Hole TO-220AB
Подробнее