г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N5551,412 NXP Semiconductors

Артикул
2N5551,412
Бренд
NXP Semiconductors
Описание
TRANS NPN 160V 0.3A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 300 mA 300MHz 630 mW Through Hole TO-92-3
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/2N5551412.jpg
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
TO-92-3
REACH Unaffected
160 V
300 mA
630 mW
50nA (ICBO)
NPN
200mV @ 5mA, 50mA
80 @ 10mA, 5V
ROHS3 Compliant
2N55
-
Tube
Obsolete
1 (Unlimited)
EAR99
8541.21.0075
2N5551P,2N5551P-ND,933215530412
1,000
Through Hole
150°C (TJ)
300MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: HS12045
Бренд: Microsemi
Описание: DIODE SCHOTTKY 45V 120A HALFPAK, Diode Schottky 45 V 120A Chassis Mount HALF-PAK
Подробнее
Артикул: VS-16TTS16S-M3
Бренд: VISHAY
Описание: SCR 1.6KV 16A TO263AB, SCR 1.6 kV 16 A Standard Recovery Surface Mount TO-263AB (D?PAK)
Подробнее
Артикул: 1431-6-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON1/2 H, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 0.625" (15.88mm) 5/8" -
Подробнее
Артикул: IRGB4607DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 11A 58W TO220, IGBT - 600 V 11 A 58 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: 1N5239B
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35, Zener Diode 9.1 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: PD85006L-E
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS RF POWER POWERFLAT5X5, RF Mosfet LDMOS 13.6 V 200 mA 870MHz 17dB 5W PowerFLAT™ (5x5)
Подробнее