г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N5551YBU onsemi

Артикул
2N5551YBU
Бренд
onsemi
Описание
AMP GP NPN 160V 600MA TO-92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 100MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Цена
8 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/2N5551YBU.jpg
TO-92-3
NPN
600 mA
160 V
200mV @ 5mA, 50mA
-
180 @ 10mA, 5V
625 mW
100MHz
Not Applicable
ROHS3 Compliant
2N5551
-
Bulk
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
EAR99
8541.21.0075
10,000
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 0912-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN STEEL.261HD X, #6-32 Knob Panel Screw Slotted Drive Steel
Подробнее
Артикул: BMP-SC-3
Бренд: Brady
Описание: BMP 71 SOFT CASE,
Подробнее
Артикул: BZD27C5V6P-E3-08
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ZENER 5.6V 800MW DO219AB, Zener Diode 5.6 V 800 mW - Surface Mount DO-219AB (SMF)
Подробнее
Артикул: 1361-6-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN BRASS5/16 HEX X, Hex Spacer Unthreaded - Brass 0.125" (3.18mm) 1/8" -
Подробнее
Артикул: MUN2211T1G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 230 mW Surface Mount SC-59
Подробнее
Артикул: IPS70R600P7SAKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3, N-Channel 700 V 8.5A (Tc) 43W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Подробнее