г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N5883 Solid State

Артикул
2N5883
Бренд
Solid State
Описание
TO 3 25 AMP SILICON TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 25 A 4MHz 200 W Through Hole TO-3
Цена
322 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/2N5883.jpg
TO-3
Vendor Undefined
200 W
PNP
25 A
60 V
4V @ 6.25A, 25A
2mA
35 @ 3A, 4V
TO-204AA, TO-3
-65°C ~ 200°C (TJ)
10
-
Bulk
Active
Through Hole
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.10.0080
2383-2N5883
4MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: ISL9V3036D3S
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 360V 21A 150W TO252AA, IGBT - 360 V 21 A 150 W Surface Mount TO-252AA
Подробнее
Артикул: VS-3ECH01HM3/9AT
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 100V 3A SMC, Diode Standard 100 V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
Подробнее
Артикул: 1N5296
Бренд: Solid State
Описание: SILICON CURRENT LIMITING DIODE, Diode Standard 100 V 1.001A Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: FQB1P50TM
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK, P-Channel 500 V 1.5A (Tc) 3.13W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263)
Подробнее
Артикул: SIR804DP-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8, N-Channel 100 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Подробнее
Артикул: MJ11013
Бренд: Solid State
Описание: TO 3 30 AMP DARLINGTON TRANSISTO, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 90 V 30 A - 200 W Through Hole TO-3
Подробнее