г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N6036 NTE Electronics

Артикул
2N6036
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS PNP 80V 4A TO225AA, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80 V 4 A - 40 W Through Hole TO-126
Цена
207 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/2N6036.jpg
TO-126
40 W
80 V
4 A
PNP - Darlington
3V @ 40mA, 4A
100µA
750 @ 2A, 3V
TO-225AA, TO-126-3
1
2368-2N6036
-
Bag
Active
Through Hole
-65°C ~ 150°C (TJ)
ROHS3 Compliant
EAR99
8541.29.0095
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MJE15030
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 150V 8A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN 150 V 8 A 30MHz 50 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: IRFZ44ZSPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK, N-Channel 55 V 51A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: 1N5817-E3/54
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO204AL, Diode Schottky 20 V 1A Through Hole DO-204AL (DO-41)
Подробнее
Артикул: FDC2512
Бренд: onsemi
Описание: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 150, N-Channel 150 V 1.4A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Подробнее
Артикул: FQP8P10
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 100V 8A TO220-3, P-Channel 100 V 8A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: FEP30JP-E3/45
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ARRAY GP 600V 15A TO3P, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600 V 15A Through Hole TO-3P-3, SC-65-3
Подробнее