г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N6036 NTE Electronics

Артикул
2N6036
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS PNP 80V 4A TO225AA, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80 V 4 A - 40 W Through Hole TO-126
Цена
207 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/2N6036.jpg
TO-126
40 W
80 V
4 A
PNP - Darlington
3V @ 40mA, 4A
100µA
750 @ 2A, 3V
TO-225AA, TO-126-3
1
2368-2N6036
-
Bag
Active
Through Hole
-65°C ~ 150°C (TJ)
ROHS3 Compliant
EAR99
8541.29.0095
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 185-BCS
Бренд: Century Spring
Описание: EXT O= .437,L= 1.88,W= .028,
Подробнее
Артикул: 1331-4-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN BRASS1/4 HEX X 3, Hex Spacer Unthreaded - Brass 0.188" (4.78mm) 3/16" -
Подробнее
Артикул: FNB41560
Бренд: onsemi
Описание: MODULE SPM 600V 15A 26PWRDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 15 A 26-PowerDIP Module (1.024", 26.00mm)
Подробнее
Артикул: UGF10J
Бренд: Taiwan Semiconductor
Описание: DIODE GEN PURP 600V 10A ITO220AC, Diode Standard 600 V 10A (DC) Through Hole ITO-220AC
Подробнее
Артикул: MBR10150
Бренд: Taiwan Semiconductor
Описание: DIODE SCHOTTKY 10A 150V TO220AB, Diode Schottky 150 V 10A (DC) Through Hole TO-220AC
Подробнее
Артикул: FF300R12KT3HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 480A 1450W, IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200 V 480 A 1450 W Chassis Mount Module
Подробнее