г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N6057 NTE Electronics

Артикул
2N6057
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS NPN 60V 12A TO3, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 12 A 4MHz 150 W Through Hole TO-3
Цена
753 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/2N6057.jpg
TO-3
150 W
60 V
12 A
NPN - Darlington
3V @ 120mA, 12A
1mA
750 @ 6A, 3V
TO-204AA, TO-3
1
2368-2N6057
-
Bag
Active
Through Hole
-65°C ~ 200°C (TJ)
ROHS3 Compliant
EAR99
8541.29.0095
4MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1235-12-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNO FINISH - NYLON1/2, Round Spacer Unthreaded - Nylon 1.375" (34.93mm) 1 3/8" -
Подробнее
Артикул: AUIRF3805S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK, N-Channel 55 V 160A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: DMP3017SFG-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333, P-Channel 30 V 11.5A (Ta) 940mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Подробнее
Артикул: BYW29-200
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC, Diode Standard 200 V 8A Through Hole TO-220AC
Подробнее
Артикул: IRGP4066-EPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 140A 454W TO247AD, IGBT Trench 600 V 140 A 454 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: 2N4401,116
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: TRANS NPN 40V 0.6A TO92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 600 mA 250MHz 630 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее