г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N6109 NTE Electronics

Артикул
2N6109
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-PNP SI-GEN PUR AMP SW, Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 7 A 10MHz 40 W Through Hole TO-220
Цена
214 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/2N6109.jpg
TO-220
40 W
50 V
7 A
PNP
3.5V @ 3A, 7A
1mA
30 @ 2.5A, 4V
TO-220-3
1
2368-2N6109
-
Bag
Active
Through Hole
-65°C ~ 150°C (TJ)
RoHS non-compliant
EAR99
8541.29.0095
10MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRF9358PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 9.2A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BZX79-C6V2,133
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: DIODE ZENER 6.2V 400MW ALF2,
Подробнее
Артикул: AO4807L
Бренд: Alpha & Omega Semiconductor
Описание:

MOSFET 2P-CH 30V 6A 8-SOIC, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 6A 2W Surface Mount 8-SOIC

Подробнее
Артикул: STTA6006TV2
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE MODULE 600V 30A ISOTOP, Diode Array 2 Independent Standard 600 V 30A Chassis Mount ISOTOP
Подробнее
Артикул: RFUS20TF6S
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM, Diode Standard 600 V 20A Through Hole TO-220NFM
Подробнее
Артикул: IRF520N
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220AB, N-Channel 100 V 9.7A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее