г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N6109G onsemi

Артикул
2N6109G
Бренд
onsemi
Описание
TRANS PNP 50V 7A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 7 A 10MHz 40 W Through Hole TO-220
Цена
169 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/2N6109G.jpg
2156-2N6109G,ONSONS2N6109G,2N6109GOS
TO-220
PNP
7 A
50 V
3.5V @ 3A, 7A
1mA
30 @ 2.5A, 4V
40 W
10MHz
1 (Unlimited)
ROHS3 Compliant
-
Tube
Obsolete
-65°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-220-3
EAR99
8541.29.0095
50
2N6109
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IPD90P04P4L04ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3, P-Channel 40 V 90A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Подробнее
Артикул: ST13003-K
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS NPN 400V 1.5A SOT-32, Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 1.5 A - 40 W Through Hole SOT-32-3
Подробнее
Артикул: 2SC3583-A
Бренд: CEL
Описание: RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23-3, RF Transistor NPN 10V 65mA 9GHz 200mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: FMMT634TA
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS NPN DARL 100V 0.9A SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 900 mA 140MHz 625 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: FP10R12W1T4PBPSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 20A 20MW, IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200 V 20 A 20 mW Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: STP150NF04
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB, N-Channel 40 V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее