г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N6340 NTE Electronics

Артикул
2N6340
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS NPN 140V 25A TO3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 140 V 25 A 40MHz 200 W Through Hole TO-3
Цена
940 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/2N6340.jpg
TO-3
200 W
140 V
25 A
NPN
1.8V @ 2.5A, 25A
50µA
50 @ 500mA, 2V
TO-204AA, TO-3
1
2368-2N6340
-
Bag
Active
Through Hole
-65°C ~ 200°C (TJ)
ROHS3 Compliant
EAR99
8541.29.0095
40MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MBRB40250TG
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SCHOTTKY 250V 40A D2PAK, Diode Schottky 250 V 40A Surface Mount D?PAK (TO-263)
Подробнее
Артикул: IXTN170P10P
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET P-CH 100V 170A SOT227B, P-Channel 100 V 170A (Tc) 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Подробнее
Артикул: DTC143ESATP
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 300 mW Through Hole SPT
Подробнее
Артикул: 1350-2-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON1/4 H, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 1.375" (34.93mm) 1 3/8" -
Подробнее
Артикул: CM100DU-24F
Бренд: Powerex
Описание: IGBT MOD 1200V 100A 500W, IGBT Module Trench Half Bridge 1200 V 100 A 500 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: STD13NM60N
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 600V 11A DPAK, N-Channel 600 V 11A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount DPAK
Подробнее