г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N6341 Microchip Technology

Артикул
2N6341
Бренд
Microchip Technology
Описание
NPN TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 150 V 50 µA - 200 W Through Hole TO-3
Цена
12 569 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/2N6341.jpg
2N6341MS
200 W
NPN
150 V
-
30 @ 10A, 2V
50 µA
1.8V @ 2.5A, 25A
TO-3
TO-204AA, TO-3
-
Bulk
Active
EAR99
8541.29.0095
1
Through Hole
-65°C ~ 175°C (TJ)
50µA

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 30482-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CIRCUIT BOARD SUPPORT, Board Support /
Подробнее
Артикул: 30474-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CIRCUIT BOARD SUPPORT, Board Support /
Подробнее
Артикул: 1121-4-S-5
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNICKEL 3/16 RD X 1.0, Round Spacer Unthreaded - Steel 1.000" (25.40mm) 1" -
Подробнее
Артикул: BC817DPN
Бренд: Nexperia
Описание: NOW NEXPERIA BC817 - SMALL SIGNA, Bipolar (BJT) Transistor Array
Подробнее
Артикул: IRF7805TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IRF7805 - 12V-300V N-CHANNEL POW, N-Channel 30 V 13A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: FGH75T65SHDTL4
Бренд: onsemi
Описание: IGBT FIELD STOP 650V 150A TO247, IGBT Field Stop 650 V 150 A 455 W Through Hole TO-247
Подробнее