г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N6374 Microchip Technology

Артикул
2N6374
Бренд
Microchip Technology
Описание
PNP TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 6 A - 40 W Through Hole TO-66 (TO-213AA)
Цена
11 334 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/2N6374.jpg
TO-66 (TO-213AA)
40 W
PNP
40 V
-
-
6 A
-
TO-213AA, TO-66-2
-
-
Bulk
Active
RoHS non-compliant
EAR99
8541.29.0095
1
Through Hole
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MJ11032G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 120V 50A TO3, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120 V 50 A - 300 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Подробнее
Артикул: MBR2060CT-I
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE ARRAY 60V 10A TO220AB, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 60 V 10A Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: SK59C V7G
Бренд: Taiwan Semiconductor
Описание: DIODE SCHOTTKY 5A 90V DO-214AB, Diode Schottky 90 V 5A Surface Mount DO-214AB (SMC)
Подробнее
Артикул: SSP3N80A
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 800 V 3A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: HUF76629D3S
Бренд: Harris
Описание: MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA, N-Channel 100 V 20A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Подробнее
Артикул: CPV362M4F
Бренд: VISHAY
Описание: IGBT MODULE 600V 8.8A 23W IMS-2, IGBT Module - Three Phase Inverter 600 V 8.8 A 23 W Through Hole IMS-2
Подробнее