г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N6387 NTE Electronics

Артикул
2N6387
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-NPN SI-GEN PUR AMP SW, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 10 A - 2 W Through Hole TO-220
Цена
219 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/2N6387.jpg
TO-220
2 W
60 V
10 A
NPN - Darlington
3V @ 100mA, 10A
1mA
1000 @ 5A, 3V
TO-220-3
1
2368-2N6387
-
Bag
Active
Through Hole
-65°C ~ 150°C (TJ)
ROHS3 Compliant
EAR99
8541.29.0095
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRLBA3803
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 30V 179A SUPER-220, N-Channel 30 V 179A (Tc) 270W (Tc) Through Hole SUPER-220™ (TO-273AA)
Подробнее
Артикул: IRGBC30UD2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT W/DIODE 600V 23A TO-220AB, IGBT - 600 V 23 A 100 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: 1235-12-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNO FINISH - NYLON1/2, Round Spacer Unthreaded - Nylon 1.375" (34.93mm) 1 3/8" -
Подробнее
Артикул: STT6N3LLH6
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6, N-Channel 30 V 6A (Tc) 1.6W (Tc) Surface Mount SOT-23-6
Подробнее
Артикул: 2SD1828
Бренд: onsemi
Описание: 2SD1828 - POWER BIPOLAR TRANSIST, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: FF1500R17IP5BPSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1700V 1500A 20MW, IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1700 V 1500 A 20 mW Chassis Mount Module
Подробнее