г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N6488 NTE Electronics

Артикул
2N6488
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-NPN SI-GEN PUR AMP SW, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 15 A 5MHz 1.8 W Through Hole TO-220
Цена
246 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/2N6488.jpg
TO-220
1.8 W
80 V
15 A
NPN
3.5V @ 5A, 15A
1mA
20 @ 5A, 4V
TO-220-3
1
2368-2N6488
-
Bag
Active
Through Hole
-65°C ~ 150°C (TJ)
ROHS3 Compliant
EAR99
8541.29.0095
5MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MUR3020WTG
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ARRAY GP 200V 15A TO247, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200 V 15A Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: LCBS-3-01
Бренд: Essentra Components
Описание: BRD SPT SNAP LOCK NYLON 3/16", Board Support Snap Lock / Snap Lock Nylon 0.188" (4.78mm) 3/16"
Подробнее
Артикул: MBRS2040LT3G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V 2A SMB, Diode Schottky 40 V 2A Surface Mount SMB
Подробнее
Артикул: SML4751-E3/61
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ZENER 30V 1W DO214AC, Zener Diode 30 V 1 W ±10% Surface Mount DO-214AC (SMA)
Подробнее
Артикул: 2N7002T
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT523F, N-Channel 60 V 115mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SOT-523F
Подробнее
Артикул: IRG4PF50WPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 900V 51A 200W TO247AC, IGBT - 900 V 51 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее