г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N6491G onsemi

Артикул
2N6491G
Бренд
onsemi
Описание
TRANS PNP 80V 15A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 15 A 5MHz 1.8 W Through Hole TO-220
Цена
188 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/2N6491G.jpg
2156-2N6491G-OS,ONSONS2N6491G,2N6491GOS
TO-220
PNP
15 A
80 V
3.5V @ 5A, 15A
1mA
20 @ 5A, 4V
1.8 W
5MHz
Not Applicable
ROHS3 Compliant
-
Tube
Active
-65°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-220-3
EAR99
8541.29.0095
50
2N6491
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MBR0530T1G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SOD123, Diode Schottky 30 V 500mA Surface Mount SOD-123
Подробнее
Артикул: VS-6F120
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 6A DO203AA, Diode Standard 1200 V 6A Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4)
Подробнее
Артикул: BZX84C10-HE3-08
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ZENER 10V 300MW SOT23-3, Zener Diode 10 V 300 mW ±5% Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: 1472-8-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN STEEL5/8 HEX X 1, Hex Spacer Unthreaded - Steel 1.250" (31.75mm) 1 1/4" -
Подробнее
Артикул: MII100-12A3
Бренд: IXYS
Описание: IGBT MODULE 1200V 135A 560W Y4M5, IGBT Module NPT Half Bridge 1200 V 135 A 560 W Chassis Mount Y4-M5
Подробнее
Артикул: BC337-25 A1G
Бренд: Taiwan Semiconductor
Описание: TRANSISTOR, NPN, 45V, 0.8A, 160A, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 800 mA 100MHz 625 mW Through Hole TO-92
Подробнее