г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N6667 NTE Electronics

Артикул
2N6667
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-PNP SI-GEN PUR AMP, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60 V 10 A - 2 W Through Hole TO-220
Цена
269 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/2N6667.jpg
TO-220
2 W
60 V
10 A
PNP - Darlington
3V @ 100mA, 10A
1mA
1000 @ 5A, 3V
TO-220-3
1
2368-2N6667
-
Bag
Active
Through Hole
-65°C ~ 150°C (TJ)
RoHS non-compliant
EAR99
8541.29.0095
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1525-B-3-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SWAGE SPACERPLAIN STEEL3/1, Round Spacer Unthreaded - Steel 0.688" (17.48mm) 11/16" -
Подробнее
Артикул: 0143-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN BRASS7/16HD X, #10-24 Knob Panel Screw Slotted Drive Brass
Подробнее
Артикул: K1300G
Бренд: Littelfuse
Описание: SIDAC 120-138V 1A DO15, Diac/Sidac Thyristor 120 ~ 138V DO-15
Подробнее
Артикул: 2N5486
Бренд: Central Semiconductor
Описание: JFET N-CH 25V 30MA TO92, RF Mosfet N-Channel JFET 15 V 4 mA 400MHz - - TO-92-3
Подробнее
Артикул: CP15TD1-24A
Бренд: Powerex
Описание: IGBT MODULE 1200V 15A 113W, IGBT Module - Three Phase Inverter with Brake 1200 V 15 A 113 W Through Hole -
Подробнее
Артикул: FSV2050V
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SCHOTTKY 50V 20A TO277-3, Diode Schottky 50 V 20A Surface Mount TO-277-3
Подробнее