г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N6667 NTE Electronics

Артикул
2N6667
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-PNP SI-GEN PUR AMP, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60 V 10 A - 2 W Through Hole TO-220
Цена
269 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/2N6667.jpg
TO-220
2 W
60 V
10 A
PNP - Darlington
3V @ 100mA, 10A
1mA
1000 @ 5A, 3V
TO-220-3
1
2368-2N6667
-
Bag
Active
Through Hole
-65°C ~ 150°C (TJ)
RoHS non-compliant
EAR99
8541.29.0095
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRF9610S
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK, P-Channel 200 V 1.8A (Tc) 3W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263)
Подробнее
Артикул: VN0106N3-G
Бренд: Microchip Technology
Описание: MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3, N-Channel 60 V 350mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: 0793-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN STEEL3/4HD X, 1/4"-28 Knob Panel Screw Slotted Drive Steel
Подробнее
Артикул: MJE172
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 80V 3A TO225AA, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 3 A 50MHz 1.5 W Through Hole TO-126
Подробнее
Артикул: FQAF19N60
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 600V 11.2A TO3PF, N-Channel 600 V 11.2A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF
Подробнее
Артикул: CL-6-ST
Бренд: Ruland Manufacturing
Описание: 3/8" STAINLESS SHAFT COLLAR,
Подробнее