г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N6667 NTE Electronics

Артикул
2N6667
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-PNP SI-GEN PUR AMP, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60 V 10 A - 2 W Through Hole TO-220
Цена
269 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/2N6667.jpg
TO-220
2 W
60 V
10 A
PNP - Darlington
3V @ 100mA, 10A
1mA
1000 @ 5A, 3V
TO-220-3
1
2368-2N6667
-
Bag
Active
Through Hole
-65°C ~ 150°C (TJ)
RoHS non-compliant
EAR99
8541.29.0095
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRFI4321PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 34A TO220AB FP, N-Channel 150 V 34A (Tc) 46W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Подробнее
Артикул: 1513-12-AL
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN ALUMINUM3/4 HEX, Hex Spacer Unthreaded - Aluminum 1.875" (47.63mm) 1 7/8" -
Подробнее
Артикул: C3D04060E-TR
Бренд: Wolfspeed
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 15.5A TO252, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 13.5A (DC) Surface Mount TO-252-2
Подробнее
Артикул: BUZ73A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3, N-Channel 200 V 5.5A (Tc) 40W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: NDS9952A
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 3.7/2.9A 8SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.7A, 2.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: NRVBSS14HE
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SCHOTTKY SOD323-2, Diode Schottky 40 V 1A Surface Mount SOD-323HE
Подробнее