г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N6667 NTE Electronics

Артикул
2N6667
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-PNP SI-GEN PUR AMP, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60 V 10 A - 2 W Through Hole TO-220
Цена
269 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/2N6667.jpg
TO-220
2 W
60 V
10 A
PNP - Darlington
3V @ 100mA, 10A
1mA
1000 @ 5A, 3V
TO-220-3
1
2368-2N6667
-
Bag
Active
Through Hole
-65°C ~ 150°C (TJ)
RoHS non-compliant
EAR99
8541.29.0095
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 2SD879
Бренд: onsemi
Описание: TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: VUM24-05N
Бренд: IXYS
Описание: BRIDGE RECT 1P 600V 40A V1-B, Bridge Rectifier Single Phase (PFC Module) Standard 600 V Chassis Mount V1-B-Pack
Подробнее
Артикул: RGP10A
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 50V 1A DO41, Diode Standard 50 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: 0721-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN BRASS5/8HD X, #12-24 Knob Panel Screw Slotted Drive Brass
Подробнее
Артикул: T2050H-6T
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRIAC ALTERNISTOR 600V TO220AB, TRIAC Alternistor - Snubberless 600 V 20 A Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: FDD3680
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 100V 25A TO252, N-Channel 100 V 25A (Ta) 68W (Ta) Surface Mount TO-252AA
Подробнее