г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N6667 NTE Electronics

Артикул
2N6667
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-PNP SI-GEN PUR AMP, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60 V 10 A - 2 W Through Hole TO-220
Цена
269 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/2N6667.jpg
TO-220
2 W
60 V
10 A
PNP - Darlington
3V @ 100mA, 10A
1mA
1000 @ 5A, 3V
TO-220-3
1
2368-2N6667
-
Bag
Active
Through Hole
-65°C ~ 150°C (TJ)
RoHS non-compliant
EAR99
8541.29.0095
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FCP22N60N
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3, N-Channel 600 V 22A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: MRFG35010ANT1
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: FET RF 15V 3.55GHZ PLD-1.5, RF Mosfet pHEMT FET 12 V 130 mA 3.55GHz 10dB 9W PLD-1.5
Подробнее
Артикул: 1156-8-B-5
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNICKEL 5/16 RD X 5/1, Round Spacer Unthreaded - Brass 0.313" (7.94mm) -
Подробнее
Артикул: 1125-6-PH
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNO FINISH - PHENOLIC, Round Spacer Unthreaded - Phenolic 0.313" (7.94mm) -
Подробнее
Артикул: IRF8313TRPBF
Бренд: International Rectifier
Описание: IRF8313 - HEXFET POWER MOSFET, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 9.7A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: SK34-7-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMC, Diode Schottky 40 V 3A Surface Mount SMC
Подробнее