г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N6667 NTE Electronics

Артикул
2N6667
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-PNP SI-GEN PUR AMP, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60 V 10 A - 2 W Through Hole TO-220
Цена
269 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/2N6667.jpg
TO-220
2 W
60 V
10 A
PNP - Darlington
3V @ 100mA, 10A
1mA
1000 @ 5A, 3V
TO-220-3
1
2368-2N6667
-
Bag
Active
Through Hole
-65°C ~ 150°C (TJ)
RoHS non-compliant
EAR99
8541.29.0095
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MMSZ5231B
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123F, Zener Diode 5.1 V 500 mW ±5% Surface Mount SOD-123F
Подробнее
Артикул: 1364-6-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON5/16, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 0.313" (7.94mm) -
Подробнее
Артикул: 1567-C-4-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SWAGE SPACERPLAIN BRASS1/4 H, Hex Spacer Unthreaded - Brass 0.500" (12.70mm) 1/2" -
Подробнее
Артикул: MMUN2232LT1
Бренд: onsemi
Описание: TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее
Артикул: 1N755A
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35, Zener Diode 7.5 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: IXXH30N60B3D1
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 600V 60A 270W TO247, IGBT PT 600 V 60 A 270 W Through Hole TO-247 (IXXH)
Подробнее