г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N6667 NTE Electronics

Артикул
2N6667
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-PNP SI-GEN PUR AMP, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60 V 10 A - 2 W Through Hole TO-220
Цена
269 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/2N6667.jpg
TO-220
2 W
60 V
10 A
PNP - Darlington
3V @ 100mA, 10A
1mA
1000 @ 5A, 3V
TO-220-3
1
2368-2N6667
-
Bag
Active
Through Hole
-65°C ~ 150°C (TJ)
RoHS non-compliant
EAR99
8541.29.0095
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 2N4401TA
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 40V 600MA TO92-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 600 mA 250MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: IPD60R650CEAUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: CONSUMER, N-Channel 600 V 9.9A (Tc) 82W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-344
Подробнее
Артикул: BAV19WS-E3-08
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323, Diode Standard 100 V 250mA (DC) Surface Mount SOD-323
Подробнее
Артикул: 1119-4-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNO FINISH - NYLON3/1, Round Spacer Unthreaded - Nylon 0.875" (22.23mm) 7/8" -
Подробнее
Артикул: 1N6627US
Бренд: Microchip Technology
Описание: DIODE GEN PURP 440V 1.75A A-MELF, Diode Standard 440 V 1.75A Surface Mount A-MELF
Подробнее
Артикул: B240-13-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V 2A SMB, Diode Schottky 40 V 2A Surface Mount SMB
Подробнее