г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N6668 NTE Electronics

Артикул
2N6668
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS PNP 80V 10A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80 V 10 A - 65 W Through Hole TO-220
Цена
298 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/2N6668.jpg
TO-220
65 W
80 V
10 A
PNP - Darlington
3V @ 100mA, 10A
1mA
1000 @ 5A, 3V
TO-220-3
1
2368-2N6668
-
Bag
Active
Through Hole
150°C (TJ)
ROHS3 Compliant
EAR99
8541.29.0095
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BAW56W
Бренд: Diotec Semiconductor
Описание: DIODE SOT-323 85V 0.15A 4NS, Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 75 V 150mA Surface Mount SC-70, SOT-323
Подробнее
Артикул: 1N3613
Бренд: Microchip Technology
Описание: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL, Diode Standard 600 V 1A Through Hole
Подробнее
Артикул: VS-243NQ100PBF
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 100V 240A D-67, Diode Schottky 100 V 240A Chassis Mount D-67 HALF-PAK
Подробнее
Артикул: CE3520K3-C1
Бренд: CEL
Описание: RF FET 4V 20GHZ 4MICROX, RF Mosfet pHEMT FET 2 V 10 mA 20GHz 13.8dB 125mW 4-Micro-X
Подробнее
Артикул: FF300R12KT4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 450A 1600W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 450 A 1600 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: HUFA75852G3
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 150V 75A TO247-3, N-Channel 150 V 75A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247
Подробнее