г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N6668 NTE Electronics

Артикул
2N6668
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS PNP 80V 10A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80 V 10 A - 65 W Through Hole TO-220
Цена
298 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/2N6668.jpg
TO-220
65 W
80 V
10 A
PNP - Darlington
3V @ 100mA, 10A
1mA
1000 @ 5A, 3V
TO-220-3
1
2368-2N6668
-
Bag
Active
Through Hole
150°C (TJ)
ROHS3 Compliant
EAR99
8541.29.0095
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: STPS1L40U
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SMB, Diode Schottky 40 V 1A Surface Mount SMB
Подробнее
Артикул: MRF173
Бренд: MACOM
Описание: FET RF 65V 150MHZ 211-11, RF Mosfet N-Channel 28 V 50 mA 150MHz 13dB 80W 211-11, Style 2
Подробнее
Артикул: NTUD3127CT5G
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N/P-CH 20V SOT-963, Mosfet Array N and P-Channel 20V 160mA, 140mA 125mW Surface Mount SOT-963
Подробнее
Артикул: MMSZ4689
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123, Zener Diode 5.1 V 500 mW ±5% Surface Mount SOD-123
Подробнее
Артикул: MS1227
Бренд: Microsemi
Описание: RF TRANS NPN 18V 30MHZ M113, RF Transistor NPN 18V 4.5A 30MHz 80W Chassis Mount M113
Подробнее
Артикул: IPA60R199CPXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 16A TO220-FP, N-Channel 650 V 16A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Подробнее