г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N6730 NTE Electronics

Артикул
2N6730
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS PNP 100V 2A TO237, Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 2 A 500MHz 1 W Through Hole TO-237
Цена
165 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/2N6730.jpg
TO-237
1 W
100 V
2 A
PNP
500mV @ 10mA, 250mA
100nA (ICBO)
80 @ 50mA, 1V
TO-237AA
1
2368-2N6730
-
Bag
Active
Through Hole
-65°C ~ 150°C (TJ)
RoHS non-compliant
EAR99
8541.21.0095
500MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: SI1317DL-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT323, P-Channel 20 V 1.4A (Tc) 500mW (Tc) Surface Mount SC-70-3
Подробнее
Артикул: FS75R12KE3BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 105A 350W, IGBT Module NPT Three Phase Inverter 1200 V 105 A 350 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: 7063-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: SHOULDER SCREWPLAIN BRASS1/2HD X, 1/4"-20 Cheese Head Shoulder Screw Hex Drive Brass
Подробнее
Артикул: BSC037N08NS5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON, N-Channel 80 V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Подробнее
Артикул: FDP150N10
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 100V 57A TO220-3, N-Channel 100 V 57A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 10-45F
Бренд: Daburn Electronics
Описание: RND STANDOFF #10-32 STEATITE 2", Round Standoff Threaded #10-32 Steatite 2.000" (50.80mm) 2" White
Подробнее