г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N6796 Microsemi

Артикул
2N6796
Бренд
Microsemi
Описание
MOSFET N-CH 100V 8A TO39, N-Channel 100 V 8A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39
Цена
3 028 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/2N6796.jpg
2N6796-ND,150-2N6796
MOSFET (Metal Oxide)
800mW (Ta), 25W (Tc)
N-Channel
-
100 V
8A (Tc)
180mOhm @ 5A, 10V
4V @ 250mA
6.34 nC @ 10 V
10V
REACH Unaffected
TO-39
-
Bulk
Obsolete
RoHS non-compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
1
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
TO-205AF Metal Can
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MSL-1-1/2
Бренд: Eaton
Описание: MSL-1-1/2,
Подробнее
Артикул: IRG4BC10SD
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 14A 38W TO220AB, IGBT - 600 V 14 A 38 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: FDB86102LZ
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263, N-Channel 100 V 8.3A (Ta), 30A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount D?PAK (TO-263)
Подробнее
Артикул: SH1006-A
Бренд: Davies Molding
Описание: M5 X 20MM MALE/FEMALE HEX HYBRID, Hex Standoff Threaded M5 Nylon 0.787" (20.00mm) Black
Подробнее
Артикул: MBRF2060
Бренд: Taiwan Semiconductor
Описание: DIODE SCHOTTKY 60V 20A ITO220, Diode Schottky 60 V 20A (DC) Through Hole ITO-220AC
Подробнее
Артикул: APTGT400A60D3G
Бренд: Microchip Technology
Описание: IGBT MODULE 600V 500A 1250W D3, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600 V 500 A 1250 W Chassis Mount D3
Подробнее