г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N6798 Microsemi

Артикул
2N6798
Бренд
Microsemi
Описание
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO39, N-Channel 200 V 5.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/2N6798.jpg
2N6798-ND,150-2N6798
MOSFET (Metal Oxide)
800mW (Ta), 25W (Tc)
N-Channel
-
200 V
5.5A (Tc)
400mOhm @ 3.5A, 10V
4V @ 250µA
5.29 nC @ 10 V
10V
REACH Unaffected
TO-39
-
Bulk
Obsolete
RoHS non-compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
1
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
TO-205AF Metal Can
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: TO-8-070
Бренд: Bivar
Описание: SPACER TUBULAR GEN PURP 0.070", Component Spacer General Purpose - Axial, Radial Tubular 0.070" (1.78mm) Natural
Подробнее
Артикул: IPG20N06S2L35AATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 55V 2A 8TDSON, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 20A (Tc) 65W Surface Mount, Wettable Flank PG-TDSON-8-10
Подробнее
Артикул: IRG7PH42UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 1200V 85A TO247AC, IGBT Trench 1200 V 85 A 320 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: SPA11N80C3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-FP, N-Channel 800 V 11A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Подробнее
Артикул: BZV55-C36,115
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: DIODE ZENER 36V 500MW SOD80C,
Подробнее
Артикул: A2-1/8A
Бренд: Essentra Components
Описание: ROUND END CAPS - BLUE, INSIDE DI, End Cap Blue 2.13" Dia x 0.88" H (54.0mm x 22.2mm)
Подробнее