г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N7000-G Microchip Technology

Артикул
2N7000-G
Бренд
Microchip Technology
Описание
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3, N-Channel 60 V 200mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3
Цена
81 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/2N7000-G.jpg
1,000
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
60 V
200mA (Tj)
4.5V, 10V
5Ohm @ 500mA, 10V
3V @ 1mA
±30V
60 pF @ 25 V
-
8541.29.0095
EAR99
-
Bag
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-92-3
2N7000
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
1W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRG8P50N120KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 80A 305W TO-247AC, IGBT - 1200 V 80 A 350 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BZT52C15-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE ZENER 15V 500MW SOD123, Zener Diode 15 V 500 mW ±6% Surface Mount SOD-123
Подробнее
Артикул: 1485-6-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON3/4 H, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 0.125" (3.18mm) 1/8" -
Подробнее
Артикул: IKA10N60TXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 11.7A 30W TO220-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 11.7 A 30 W Through Hole PG-TO220-3-31
Подробнее
Артикул: 1N5819RL
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V 1A AXIAL, Diode Schottky 40 V 1A Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: MPSA62
Бренд: onsemi
Описание: TRANS DARLINGTON PNP 20V 0.5A, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее