г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N7000G onsemi

Артикул
2N7000G
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3, N-Channel 60 V 200mA (Ta) 350mW (Tc) Through Hole TO-92 (TO-226)
Цена
72 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/2N7000G.jpg
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
60 V
200mA (Ta)
4.5V, 10V
5Ohm @ 500mA, 10V
3V @ 1mA
±20V
60 pF @ 25 V
-
350mW (Tc)
TO-92 (TO-226)
2N7000GOS,2N7000G-ND
-
Bulk
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
EAR99
8541.21.0095
1,000
2N7000
1 (Unlimited)
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: NE651R479A-A
Бренд: CEL
Описание: FET RF 8V 1.9GHZ 79A, RF Mosfet HFET 3.5 V 50 mA 1.9GHz 12dB 27dBm 79A
Подробнее
Артикул: IRGP30B120KD-EP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 60A 300W TO247AD, IGBT NPT 1200 V 60 A 300 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: 1420-12-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON3/8 H, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 1.875" (47.63mm) 1 7/8" -
Подробнее
Артикул: 1380-6-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON5/16, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 1.313" (33.35mm) 1 5/16" -
Подробнее
Артикул: GBPC2510W
Бренд: GeneSiC Semiconductor
Описание: BRIDGE RECT 1P 1KV 25A GBPC-W, Bridge Rectifier Single Phase Standard 1 kV Through Hole GBPC-W
Подробнее
Артикул: MJF6388
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 100V 10A TO220FP, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 10 A - 2 W Through Hole TO-220FP
Подробнее