г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2SC3506 Panasonic

Артикул
2SC3506
Бренд
Panasonic
Описание
TRANS NPN 800V 3A TOP-3F, Bipolar (BJT) Transistor NPN 800 V 3 A 4MHz 3 W Through Hole TOP-3F-A1
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/2SC3506.jpg
TOP-3F-A1
NPN
3 A
800 V
1.5V @ 400mA, 2A
50µA (ICBO)
6 @ 2A, 5V
3 W
1 (Unlimited)
2SC350
40
-
Bulk
Obsolete
150°C (TJ)
Through Hole
TOP-3F
EAR99
8541.29.0095
4MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 0885-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN STEEL5/16HD X, #10-32 Knob Panel Screw Slotted Drive Steel
Подробнее
Артикул: BZX55C20
Бренд: Rectron
Описание: DIODE ZENER 20V 500MW DO-34, Zener Diode 20 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: HGTP12N60A4D
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, IGBT - 600 V 54 A 167 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: IPW60R070P6
Бренд: Infineon Technologies
Описание: 600V, 0.07OHM, N-CHANNEL MOSFET,, N-Channel 600 V 53.5A (Tc) 391W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: 2N5876
Бренд: Microchip Technology
Описание: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: STGW60H65FB
Бренд: STMicroelectronics
Описание: IGBT 650V 80A 375W TO247, IGBT Trench Field Stop 650 V 80 A 375 W Through Hole TO-247
Подробнее