г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2SC5610 onsemi

Артикул
2SC5610
Бренд
onsemi
Описание
POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN, Bipolar (BJT) Transistor
Цена
79 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/2SC5610.jpg
REACH Unaffected
1
2156-2SC5610,ONSONS2SC5610
8541.29.0075
EAR99
ROHS3 Compliant
Active
Bulk
*
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IXXK110N65B4H1
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 650V 240A 880W TO264, IGBT PT 650 V 240 A 880 W Through Hole TO-264 (IXXK)
Подробнее
Артикул: 1169-8-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN STEEL5/16 RD X, Round Spacer Unthreaded - Steel 1.125" (28.58mm) 1 1/8" -
Подробнее
Артикул: BAS40DW-04-TP
Бренд: Micro Commercial
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT363, Diode Array 2 Pair Series Connection Schottky 40 V 200mA Surface Mount 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Подробнее
Артикул: 1281-12-AL
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN ALUMINUM3/4 RD, Round Spacer Unthreaded - Aluminum 0.375" (9.53mm) 3/8" -
Подробнее
Артикул: 1200-12-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN BRASS3/8 RD X, Round Spacer Unthreaded - Brass 1.125" (28.58mm) 1 1/8" -
Подробнее
Артикул: IRG7PH42UD1PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 85A 313W TO247AC, IGBT Trench 1200 V 85 A 313 W Through Hole TO-247AC
Подробнее